[한스경제=변동진 기자] SK하이닉스는 2세대 10나노급 미세공정을 적용해 생산성과 전력효율을 높인 8기가비트(Gb)급 DDR D램 개발에 성공, 내년 초부터 양산에 들어간다.

이번 신제품은 1세대보다 생산성은 약 20% 향상됐고 전력소비는 15% 이상 줄였다. DDR4 규격이 지원하는 최대치인 3200Mbps까지 데이터 전송속도를 안정적으로 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 제품에 ‘4페이즈 클로킹’ 설계기술을 적용했다. 데이터를 전송할 때 주고받는 신호를 기존 대비 2배로 늘려 반도체의 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다.

아울러 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위한 독자 기술인 ‘센스 앰프’ 제어 기술도 도입했다.

SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일 등 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 방침이다.

앞서 SK하이닉스는 세계 최초로 96단 4차원(4D) 낸드플래시 개발에 성공해 연내 양산에 돌입할 것이라고 지난 5일 선언했다.

SK하이닉스의 4D낸드는 3D에 주로 적용되는 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell) 기술을 결합한 것이 특징이다.

웨이퍼 당 비트 생산도 1.5배 향상됐다. 동시에 처리가 가능한 데이터양은 업계 최고 수준인 64KByte(킬로바이트)로 2배 늘어 칩 하나로 기존 256Gbit 3D 낸드 2개를 대체할 수 있다.

김석 D램 마케팅 담당 상무는 “내년 1분기(1∼3월)부터 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것”이라고 말했다.

변동진 기자 bdj@sporbiz.co.kr