[한스경제=김덕호 기자] 삼성전자가 차세대 메모리 반도체 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)'의 양산을 시작한다. 

6일 삼성전자에 따르면 eMRAM은 저전력·고효율의 차세대 내장 메모리다. eFlash 제품 대비 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현할 수 있고, 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)을 유지하면서도 DRAM 수준의 속도를 낼 수 있다. 

eMRAM을 생산하는 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄이는 방식이 사용된다.

기존 로직 공정에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것으로 다양한 제품을 생산 할 수 있고, 이를 통해 설계 부담과 생산비용을 낮출 수 있다. 

이에 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit), SoC 등 시스템 반도체 정보 저장 역할을 하는 'eFlash(embedded Flash'메모리를 대체할 수 있을 것으로 기대된다. 

삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip) 분야에 이 제품을 결합, 기존에 사용되던 eFlash(embedded Flash) 메모리를 대체 하는데 주력할 계획이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 며, "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 '28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM' 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

김덕호 기자 pado@sporbiz.co.kr