삼성전자, '3세대 10나노 D램' 개발…D램 초격차 '재시동'
삼성전자, '3세대 10나노 D램' 개발…D램 초격차 '재시동'
  • 김덕호 기자
  • 승인 2019.03.21 11:34
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세계 최고 미세 공정 기반 1z나노 8Gb DDR4 D램 개발 완료
삼성전자가 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4  / 사진 = 삼성전자
삼성전자가 개발한 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 / 사진 = 삼성전자

[한스경제=김덕호 기자] 삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 3세대 10나노급(1z) D램은 기존 10나노급 D램 대비 20%이상 높은 생산성을 갖은 제품이다. 또 속도 증가와 전력효율이 동시에 이뤄졌다. 

3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램개발은 2세대 10나노급(1y) D램 양산 16개월 만에 이뤄졌다. 2세대에 이어 역대 최고 미세 공정 제품을 개발하면서 기술 ‘초격차’를 실현했다.

개발된 제품은 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 이에 글로벌 IT 고객의 수요에 본격적으로 기여할 수 있게 됐다.

삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램의 양산 시점을 올해 하반기로 잡았다. 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속적으로 확대하고 있다. 2020년부터는 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 구축, 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.