내용요약 올 1월부터 가동, D램 생산 시작
우시 팹의 경쟁력 확보, 기존 C2와 ‘One(원) FAB' 운영

[한스경제=정도영 기자] SK하이닉스가 기존 중국 우시 공장의 공정 미세화와 생산공간 부족을 해소하기 위해 생산 라인을 추가했다.

SK하이닉스는 중국 우시에서 ‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 메모리 반도체 확장 팹(FAB·웨이퍼제조공장) ‘C2F'의 준공식을 개최했다고 18일 밝혔다.

18일 SK하이닉스가 중국 우시에 메모리반도체 확장 팹인 'C2F'를 준공했다. / 사진=연합뉴스

이날 행사에는 리샤오민 우시시 서기와 최영삼 주상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 관계자 약 500명이 참석했다.

준공된 C2F는 기존 D램 생산라인 C2를 확장한 것으로, 지난 2016년 건설계획 발표 이후 2017년 6월부터 이달까지 총 9500억원을 투입해 완성했다. 또 건축면적 5만8000㎡의 단층 팹인 C2F는 기존 C2 공장과 비슷한 규모로 준공됐다.

앞서 SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결한데 이어 2006년에는 생산라인을 완공해 D램 생산의 시작을 알린 바 있다.

당시 건설된 C2 라인은 SK하이닉스의 첫 300mm FAB으로 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해왔지만 기기가 노후화되는 등 문제를 겪고 있었다. 

우시 공장은 공정 미세화에 따라 공정 수가 늘고 장비의 규모가 커지면서 2014년부터 2015년 사이 생산 공간 부족으로 중국 메모리반도체 시장에 대한 대응에서 아쉬움을 남겼었다.

SK하이닉스는 “공사를 다 마친 C2F가 지난 1월 초 처음 가동해 D램을 생산하기 시작한 상태”라며 “추가적인 장비 입고 시기는 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정할 계획”이라고 설명했다.

우시팹을 담당하고 있는 강영수 SK하이닉스 전무는 “C2F 준공이 됨에 따라 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보할 수 있게 됐다”며 “기존 C2 공장과 ‘원(One) FAB’으로 운영해서 우시 팹의 생산과 운영의 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

정도영 기자

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