울산과기원, 삼성 지원속 반도체 성능 1000배 향상 원리 제시
울산과기원, 삼성 지원속 반도체 성능 1000배 향상 원리 제시
  • 마재완 기자
  • 승인 2020.07.03 04:00
  • 수정 2020-07-02 16:32
  • 댓글 0

원자간 탄성 작용 반도체에 적용…반도체 0.5nm 까지 미세화 가능해
이 교수 "집적도 1000배 이상 향상될 것"
이준희 UNIST(울산과학기술원) 에너지 및 화학공학부 교수 /삼성전자 제공

[한스경제=마재완 기자] 이준희 울산과학기술원(UNIST) 에너지 및 화학공학부 교수 연구팀이 차세대 메모리 반도체 집적도를 1000배 이상 향상 시킬 수 있는 이론과 소재를 발표했다.

이 교수 연구팀은 삼성미래기술육성사업 지원을 받아 연구를 진행했으며 연구 내용은 2일(미국 현지시간) 세계적인 학술지 '사이언스(Science)'에 게재됐다.

사이언스에 순수 이론 논문이 게재되는 경우는 극히 드문 사례로, 국내 연구팀 단독 교신으로 진행한 이 연구는 이론적 엄밀성과 독창성, 산업적 파급력을 인정 받아 게재됐다.

반도체 업계는 소자 성능을 향상시키기 위해 미세화를 통해 단위 면적당 집적도를 높여 왔다. 집적도는 하나의 칩에 디지털 소자가 몇 개나 구성되어 있는지를 나타내는 정도다. 집적도가 높을 수록 고성능의 반도체로 평가받는다. 

그러나 데이터 저장을 위해서는 탄성으로 연결된 수천 개의 원자 집단인 '도메인'이 반드시 필요해 일정 수준 이하로 크기를 줄일 수 없는 한계점이 존재했다.

반도체 소자가 일정 수준 이하로 작아지면 정보를 저장하는 능력이 사라지는 '스케일링' 현상이 발생하기 때문이다. 이렇게 되면 반도체 기본 작동 원리인 0과 1 구분이 제대로 구현되지 않는다.

이 교수 연구팀은 '산화하프늄(HfO₂)'이라는 반도체 소재의 산소 원자에 전압을 가하면 원자간 탄성이 사라지는 물리 현상을 새롭게 발견, 반도체에 적용해 저장 용량 한계를 돌파하는 데 성공했다.

연구팀이 제시한 단일 원자에 데이터를 저장하는 메모리(오른쪽)와 수천 개의 원자 집단인 도메인을 사용해 데이터를 저장하는 메모리 비교 /삼성전자 제공

해당 현상을 적용하면 개별 원자를 제어할 수 있고 산소 원자 4개에 데이터 저장이 가능해진다. 이는 데이터 저장을 위해 수십 나노미터(nm) 크기의 도메인이 필수라는 업계 통념을 뒤집은 발견이다.

산화하프늄은 현재 메모리 반도체 공정에서 흔히 사용하는 소재다. 전압을 통해 원자간 탄성이 사라지는 현상을 활용할 경우 스마트폰, 태블릿 등 다양한 제품의 메모리 성능을 한층 끌어올릴 수 있어 관련 산업계에 미치는 파급이 크다.

이번 연구 결과를 적용하면 반도체 소형화시 저장 능력이 사라지는 문제점도 해결할 수 있다. 따라서 현재 10nm 수준에 멈춰 있는 반도체 공정을 0.5nm까지 미세화 할 수 있어 메모리 집적도가 기존 대비 약 1000배 이상 향상될 수 있다.

이 교수는 "개별 원자에 정보를 저장하는 기술은 원자를 쪼개지 않는 범위 내에서는 최고의 집적 기술"이라며, "이 기술을 활용하면 반도체 소형화가 더욱 가속화 될 것으로 기대된다"라고 말했다.

이번 연구는 2019년 12월 삼성미래기술육성사업 과제로 선정돼 연구 지원을 받고 있으며, 과학기술정보통신부 미래소재디스커버리 사업 지원도 받았다.

한편, 삼성미래기술육성사업은 국가 미래 과학기술 연구 지원을 위해 2013년부터 10년간 1조5000억원을 지원할 예정이며 지금까지 589개 과제에 7589억원의 연구비를 집행했다.
 


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