[한스경제=노이서 기자] SK하이닉스가 10나노급 5세대(1b) 기술이 적용된 서버용 DDR5 D램 반도체 메모리를 세계 최초로 인텔에 제공해 호환성 검증 절차에 돌입했다.

30일 SK하이닉스는 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대 기술 개발을 완료하고 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차에 돌입했다고 밝혔다.

이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다. 여기서 플랫폼은 하드웨어와 소프트웨어 기술이 집약된 컴퓨팅 시스템을 뜻한다.

SK하이닉스에 따르면 이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품 동작속도는 6.4Gbps로 DDR5 초창기 시제품보다 속도가 33% 향상됐다. SK하이닉스는 현존 DDR5 제품 중 최고 속도를 구현한 것이다.

또한 이번 5세대 DDR5 제품에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 4세대(1a) DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄이는 데 성공했다고 SK하이닉스는 소개했다.

HKGM은 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. SK하이닉스는 지난해 11월 모바일용 D램에서 HKMG 공정을 세계 최초로 도입한 8.5Gbps LPDDR5X D램 제품을 출시했다. 올해 1월에는 9.6Gbps LPDDR5T 모바일 D램에도 HKMG 공정을 적용했다.

SK하이닉스는 “5세대 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능을 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것으로 기대한다”고 강조했다. 그러면서 “지난 1월 10나노급 4세대 DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업체 최초로 인증 받았고 이번 5세대 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것으로 본다”고 덧붙였다.

올해 하반기 메모리 반도체 시장 상황이 회복될 것이라는 전망도 언급했다. SK하이닉스는 “5세대 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 도모할 것이며 내년 상반기에는 최선단 5세대 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 계획”이라고 밝혔다.

한편 SK하이닉스는 이미 인텔 제품과 호환성 검증이 완료된 4세대 DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가 인증 절차를 진행하고 있다고 덧붙였다.

노이서 기자 yiiiseo@sporbiz.co.kr