[한스경제=김정연 기자] 산업통상자원부는 안덕근 장관이 반도체 메가 클러스터 조성방안의 핵심지역인 SK하이닉스 용인 반도체 클러스터를 방문했다고 21일 밝혔다.

이곳은 지난 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연되었으나, 2022년 11월 당·정·지자체·기업 간의 상생협약이 체결되면서 본 궤도에 올랐다.

1기 팹(생산공장) 부지는 현재 35%의 공정률을 보이며 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다.

SK하이닉스는 오는 2046년까지 120조원 이상 투자를 통해 총 4기의 팹 구축을 목표로 하고 있다. 내년 3월 착공 예정인 팹 1기는 세계 최대 규모의 3층 팹이 될 것으로 전망된다.

안 장관은 이날 기업 간담회에서 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장(소재·부품·장비)·팹리스(반도체 설계 전문 회사) 생태계 강화를 약속했다.

산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족한 바 있다. 이달에는 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안을 마련할 계획이다.

아울러 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위한 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략과 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련할 계획이다.

안 장관은 “반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심해 대응하겠다”며 “올해 반도체 1200억달러(158조8200억원) 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다”고 밝혔다.

김정연 기자 straight30@sporbiz.co.kr